Транспорт: история и современность

Расчет параметров защитных элементов преобразователя

Страница 1

Сопротивление шунтирующих резисторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS1

Для выравнивания напряжений на последовательно соединенных закрытых полупроводниковых приборах параллельно каждому из них включается шунтирующий резистор Rш. Расчет сопротивления Rш производится из условия, чтобы при наихудшем сочетании вольтамперных характеристик приборов и максимально возможном рабочем напряжении цепи Uvн напряжение на любом из них не превышало максимально допустимого значения Uп. Наихудшим является случай, когда один из показанных на Рис.6а из [1] последовательно соединенных приборов имеет наименьший обратный ток, а остальные наибольший.

По формуле (4.5) из [1] имеем:

гдеI0 - максимальный импульсный обратный ток;

Rш - сопротивление шунтирующего резистора;

m - число последовательно соединенных приборов.

Из приложения 2 из [1] I0=40.10-3 A.

Для тиристора VS1

Сопротивление шунтирующих резисторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS2

По формуле (3.1) для тиристора VS2:

Емкость шунтирующих конденсаторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS1

Шунтирующие резисторы не гарантируют допустимого распределения напряжений на последовательно соединенных приборах при переходных режимах, возникающих в процессе их выключения. При выключении прибора смещение p-n-перехода в обратном направлении происходит за определенное время, в течение которого через прибор протекает обратный ток, постепенно снижающийся до значения, определяемого статической вольтамперной характеристикой. Полный заряд, вытекающий из прибора при переключении его с прямого тока на обратное смещение, называется зарядом восстановления Qв. Из-за различных значений Qв у последовательно соединенных приборов нарастание обратных напряжений на них будет происходить с разными скоростями, что может привести к недопустимым перенапряжениям на приборах с наименьшими Qв. Для выравнивания скоростей параллельно приборам включаются шунтирующие конденсаторы Сш. По формуле (4.6) из [I] имеем:

гдеQв - максимально возможная разность значений Qв последовательно включенных приборов.

Значение Qв берется из приложения 2 из [1]. Qв = 40.10-6 Кл.

Сш = 0,071.10-6 Ф = 0,071 мкФ.

Емкость шунтирующих конденсаторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS2

По формуле (3.2) имеем

Сш = 0,071.10-6 Ф = 0,071 мкФ.

Последовательно с шунтирующим конденсатором включается демпфирующий резистор Rd, ограничивающий максимальный ток перезаряда Сш. Сопротивление резистора Rd обычно равно 30 - 50 Ом. Наличие резистора Rd повышает dUD / dl. Поэтому он шунтируется диодом VDш.

Индуктивность дросселя, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS1

Из приведенных на рис.9 диаграмм iVS1, iVS2 видно, что ток тиристоров изменяется при их включении скачком от нуля до Iн.

Такой режим недопустим, он наверняка приведет к отказу тиристора. При подаче управляющего сигнала проводящая зона образуется сначала вблизи управляющего электрода и затем с определенной скоростью распространяется на весь p-n-переход. При высокой скорости нарастания анодного тока на небольшом участке структуры успевает выделиться большая энергия и этот участок недопустимо перегревается. Максимальная скорость нарастания тока, которая не должна превышаться в процессе эксплуатации, называется критической скоростью. Требуемый темп нарастания тока достигается с помощью дросселя Lс, который включается последовательно с тиристором. После включения тиристора, напряжение на нем становится равным нулю, а появившаяся в обмотке дросселя ЭДС самоиндукции становится равной напряжению U, которое было на тиристоре в момент включения (активным сопротивлением обмотки пренебрегаем)

Разработка графиков единого технологического процесса обработки групп вагонов, маршрутов на станции и подъездных путях
Графики единого технологического процесса должны быть разработаны для каждого подъездного пути. Графики составляются отдельно для погрузки, выгрузки и при сдвоенных грузовых операциях, т.е. при использовании вагонов из-под выгрузки для погрузки. В графиках технологического процесса должны быть отра ...

Динамическое исследование кривошипно-шатунного механизма
Динамическое исследование кривошипно-шатунного механизма включает: 1)построение развернутой индикаторной диаграммы в функции угла поворота коленчатого вала двигателя; 2)определение сил инерции от возвратно-поступательно движущихся масс кривошипно-шатунного механизма; 3)построение развернутой диагра ...

Инноваторская организация
Рисунок 4. Мы считаем, что наш успех должен во многом определяется эффективностью инновационной деятельности порой в весьма сложных условиях. Бюрократические структуры не отличаются гибкостью, а для предпринимательских характерна жесткая централизация и чтo нам требуется «проектная структура», спос ...